Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (5) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Курчак А$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
|||
| 1. | 
Литовченко В. Г. Анізотропія провідності двошарового графену при стиску вздовж напрямків "крісла" і "зигзагу" [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, А. І. Курчак, М. В. Стріха // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2014. - Т. 11, № 1. - С. 28-32. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2014_11_1_4 У межах методу сильного зв'язку досліджено трансформацію зонного спектра двошарового графену (ДГ) зі зсунутими один щодо одного графеновими шарами. Показано, що в усьому діапазоні експериментально актуальних значень зсуву, ДГ залишається матеріалом з нульовою забороненою зоною, однак розташування точок дотикання зони провідності та валентної зони у цьому випадку суттєво залежить від напрямку зсуву площин одна щодо одної. Наслідком зсуву є поява суттєвої анізотропії зон, яка, своєю чергою, призводить до суттєвої (порядку 10 - 20 %) анізотропії провідності ДГ. Обговорено можливе застосування такої анізотропії в чутливих сенсорах механічних напружень і для генерації в анізотропному багатодолинному ДГ суто долинного струму за умови рівності нулеві середнього електронного спіну й електронного струму.У рамках формалізму методу сильного зв'язку одержано хвильову функцію і зонний спектр стиснутого двошарового графену, а також вирази для тензора провідності при стискові в напрямку як "крісла" (вісь x), так і "зигзагу" (вісь y). Суттєва (понад 20 %) анізотропія провідності, яка при цьому виникає, може бути використана при створенні нових чутливих тензорів механічних напружень. | ||
| 2. | 
Курчак А. І. Конкурентні механізми гістерезису опору в графеновому каналі [Електронний ресурс] / А. І. Курчак, Г. М. Морозовська, М. В. Стріха // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 5. - С. 473-480. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_5_10 | ||
| 3. |
Литовченко В. Г. Анізотропія провідності двошарового графену при відносному зміщенні його шарів [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, А. І. Курчак, М. В. Стріха // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 1. - С. 80-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_1_11 У межах методу сильного зв'язку досліджено трансформацію зонного спектра двошарового графену (ДГ) зі зсунутими один щодо одного графеновими шарами. Показано, що в усьому діапазоні експериментально актуальних значень зсуву, ДГ залишається матеріалом з нульовою забороненою зоною, однак розташування точок дотикання зони провідності та валентної зони у цьому випадку суттєво залежить від напрямку зсуву площин одна щодо одної. Наслідком зсуву є поява суттєвої анізотропії зон, яка, своєю чергою, призводить до суттєвої (порядку 10 - 20 %) анізотропії провідності ДГ. Обговорено можливе застосування такої анізотропії в чутливих сенсорах механічних напружень і для генерації в анізотропному багатодолинному ДГ суто долинного струму за умови рівності нулеві середнього електронного спіну й електронного струму.У рамках формалізму методу сильного зв'язку одержано хвильову функцію і зонний спектр стиснутого двошарового графену, а також вирази для тензора провідності при стискові в напрямку як "крісла" (вісь x), так і "зигзагу" (вісь y). Суттєва (понад 20 %) анізотропія провідності, яка при цьому виникає, може бути використана при створенні нових чутливих тензорів механічних напружень. | ||
| 4. |
Курчак А. І. Провідність графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE [Електронний ресурс] / А. І. Курчак, М. В. Стріха // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 6. - С. 623-628. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_6_10 Побудовано теорію провідності графену, вирощеного за допомогою методу осаджування з парової фази, на плівці сегнетоелектрика полівініледен флюорид трифлуороетилен (PVDF-TrFE) з урахуванням розсіяння носіїв на великомасштабних неоднорідностях потенціалу, зумовлених як наявністю доменної структури сегнетоелектрика, так і неоднорідностями розподілу хімічних допантів на поверхні графену. Показано, що зі збільшенням кореляційної довжини, яка описує неоднорідності, питомий опір зменшується, і для випадку достатньо однорідного розподілу хімічних домішок і достатньо великих розмірів доменів може становити 100 Ом і менше. Такі значення роблять систему "графен на PVDF-TrFE" конкурентною щодо стандартних провідних прозорих ІТО (індій - оксид олова) покриттів для фотовольтаїки. Проведено порівняння результатів теоретичного опису з експериментальними даними. | ||
| 5. |
Литовченко В. Г. Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, А. І. Курчак, М. В. Стріха // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 6. - С. 526-529. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_6_9 Вперше адаптовано для 2D напівпровідникових моношарів типу MoS | ||
| 6. |
Стріха М. В. Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу [Електронний ресурс] / М. В. Стріха, А. І. Курчак // Український фізичний журнал. - 2021. - Т. 66, № 7. - С. 625-629. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2021_66_7_12 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |